DTA123YUAT106
Rohm Semiconductor
Deutsch
Artikelnummer: | DTA123YUAT106 |
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Hersteller / Marke: | LAPIS Technology |
Teil der Beschreibung.: | TRANS PREBIAS PNP 200MW UMT3 |
Datenblätte: |
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RoHs Status: | |
ECAD -Modell: | |
Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
Aktie: |
Ship From: Hong Kong
Anzahl | Einzelpreis |
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3000+ | $0.0536 |
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Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) | 50 V |
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 500µA, 10mA |
Transistor-Typ | PNP - Pre-Biased |
Supplier Device-Gehäuse | UMT3 |
Serie | - |
Widerstand - Emitterbasis (R2) | 10 kOhms |
Widerstand - Basis (R1) | 2.2 kOhms |
Leistung - max | 200 mW |
Verpackung / Gehäuse | SC-70, SOT-323 |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Paket | Tape & Reel (TR) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Frequenz - Übergang | 250 MHz |
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE | 33 @ 10mA, 5V |
Strom - Collector Cutoff (Max) | 500nA |
Strom - Kollektor (Ic) (max) | 100 mA |
Grundproduktnummer | DTA123 |
DTA123YUAT106 Einzelheiten PDF [English] | DTA123YUAT106 PDF - EN.pdf |
2024/06/6
2024/04/18
2024/04/13
2023/12/20
![]() DTA123YUAT106Rohm Semiconductor |
Anzahl*
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Zielpreis (USD)
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